FDBL86066-F085
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
针脚数 8
漏源极电阻 0.0033 Ω
耗散功率 300 W
阈值电压 2.9 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 3240pF @50VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
引脚数 9
封装 TO-LL
封装 TO-LL
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDBL86066-F085引脚图
FDBL86066-F085封装图
FDBL86066-F085封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDBL86066-F085 | ON Semiconductor 安森美 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 185 A, 100 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.9 V | 搜索库存 |