FDD86581-F085

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

FDD86581_F085: N 沟道，PowerTrench MOSFET，60 V，25 A，15 mΩ

表面贴装型 N 通道 25A（Tc） 48.4W（Tj） D-PAK（TO-252）

得捷:
MOSFET N-CH 60V 25A DPAK

立创商城:
FDD86581-F085

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

FDD86581-F085中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 48400 mW

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 6.5 ns

输入电容Ciss 880pF @30VVds

下降时间 4.2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDD86581-F085引脚图与封装图

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