FDMS86381-F085

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 30 A, 80 V, 0.0172 ohm, 10 V, 2.9 V

表面贴装型 N 通道 30A（Tc） 50W（Tj） Power56

立创商城:
N沟道 80V 30A

得捷:
MOSFET N-CH 80V 30A POWER56

e络盟:
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 30 A, 80 V, 0.0172 ohm, 10 V, 2.9 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 30A Automotive 8-Pin PQFN EP T/R

FDMS86381-F085中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0172 Ω

耗散功率 50 W

阈值电压 2.9 V

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 866pF @40VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 QFN

外形尺寸

封装 QFN

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDMS86381-F085引脚图与封装图

暂无图片

在线购买FDMS86381-F085

型号	制造商	描述	购买
FDMS86381-F085	ON Semiconductor 安森美	晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 30 A, 80 V, 0.0172 ohm, 10 V, 2.9 V	搜索库存