FDS9958-F085
数据手册.pdfON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS9958_F085, 2.9 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
得捷:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS9958_F085, 2.9 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.082 ohm, -10 V, -1.6 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 8-Pin SOIC N T/R