FDMS10C4D2N
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
FDMS10C4D2N中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2500 mW
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 2945pF @50VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
引脚数 8
封装 QFN
外形尺寸
封装 QFN
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDMS10C4D2N引脚图与封装图
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