FDMS86369-F085

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

N沟道 80V 64A

表面贴装型 N 通道 65A（Tc） 107W（Tc） Power56

得捷:
MOSFET N-CH 80V 65A POWER56

立创商城:
N沟道 80V 64A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive 8-Pin Power 56 EP T/R

FDMS86369-F085中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 107000 mW

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 2470pF @40VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 107000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 QFN

外形尺寸

封装 QFN

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FDMS86369-F085引脚图与封装图

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