FDB0260N1007L

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V

表面贴装型 N 通道 100 V 200A（Tc） 3.8W（Ta），250W（Tc） TO-263-7

得捷:
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7

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FDB0260N1007L

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R

FDB0260N1007L中文资料参数规格

技术参数

针脚数 7

漏源极电阻 0.0023 Ω

耗散功率 3.8 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 6101pF @50VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3800 mW

封装参数

引脚数 7

封装 D2PAK-263

外形尺寸

封装 D2PAK-263

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDB0260N1007L引脚图与封装图

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FDB0260N1007L	ON Semiconductor 安森美	晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V	搜索库存