FDMS86182

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 78 A, 100 V, 0.0059 ohm, 10 V, 3.2 V

表面贴装型 N 通道 100 V 78A（Tc） 83W（Tc） 8-PQFN（5x6）

得捷:
MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN

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FDMS86182

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晶体管, MOSFET, N沟道, 78 A, 100 V, 0.0059 ohm, 10 V, 3.2 V

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Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R

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MOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET

FDMS86182中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0059 Ω

耗散功率 83 W

阈值电压 3.2 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 1880pF @50VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

引脚数 8

封装 QFN

外形尺寸

封装 QFN

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDMS86182引脚图与封装图

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FDMS86182	ON Semiconductor 安森美	晶体管, MOSFET, N沟道, 78 A, 100 V, 0.0059 ohm, 10 V, 3.2 V	搜索库存