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FDS8958A-F085

FDS8958A-F085

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ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8958A_F085, 5 A,7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。

最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。

PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC


立创商城:
FDS8958A-F085


欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8958A_F085, 5 A,7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A Automotive 8-Pin SOIC N T/R


FDS8958A-F085中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.019 Ω

耗散功率 2 W

阈值电压 1.9 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 575pF @15VVds

额定功率Max 900 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.575 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

FDS8958A-F085引脚图与封装图
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FDS8958A-F085 ON Semiconductor 安森美 ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8958A_F085, 5 A,7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 搜索库存