频率 160 MHz
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -3.00 A
极性 PNP
耗散功率 2 W
增益频宽积 160 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 70
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.65 mm
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FZT749TC | Diodes 美台 | FZT749 Series 25V 3A SMT PNP High Performance Transistor - SOT-223-3 | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FZT749TC 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-223 PNP 25V 3A 2000mW | 当前型号 | FZT749 Series 25V 3A SMT PNP High Performance Transistor - SOT-223-3 | 当前型号 |
| 型号： FZT749TA 品牌： 美台 封装： SOT-223 PNP 25V 3A 2W | 类似代替 | FZT749TA 编带 | FZT749TC和FZT749TA的区别 |
| 型号： FZT749 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-223 Dual P-Channel -25V -3A 2000mW | 功能相似 | PNP 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | FZT749TC和FZT749的区别 |
