FDB0300N1007L

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2.7 V

表面贴装型 N 通道 100 V 200A（Tc） 3.8W（Ta），250W（Tc） TO-263-7

得捷:
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7

立创商城:
FDB0300N1007L

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 200 A, 0.0024 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R

安富利:
N-Channel 100V 200A Tc 3.8W Ta, 250W Tc Surface Mount D2PAK 7-Lead

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R

FDB0300N1007L中文资料参数规格

技术参数

针脚数 7

漏源极电阻 0.0024 Ω

耗散功率 3.8 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 5925pF @50VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3800 mW

封装参数

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

封装 TO-263-7

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDB0300N1007L引脚图与封装图

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FDB0300N1007L	ON Semiconductor 安森美	晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2.7 V	搜索库存