FDD86369-F085中文资料参数规格
技术参数
上升时间 34 ns
输入电容Ciss 2530pF @40VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 DPAK-252
外形尺寸
封装 DPAK-252
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FDD86369-F085引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD86369-F085 | ON Semiconductor 安森美 | FDD86369_F085: N 沟道，PowerTrench MOSFET，80 V，90 A，7.9 mΩ | 搜索库存 |