FCH023N65S3-F155中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0195 Ω
耗散功率 595 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 7160pF @400VVds
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 595000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 计算机硬件
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FCH023N65S3-F155引脚图与封装图
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在线购买FCH023N65S3-F155
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FCH023N65S3-F155 | ON Semiconductor 安森美 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 650 V, 0.0195 ohm, 10 V, 4.5 V | 搜索库存 |