FGH40T65SPD-F085

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT NPT 通孔 TO-247-3

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IGBT NPT 650V 80A TO247-3

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FGH40T65SPD-F085

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

FGH40T65SPD-F085中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 267000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 267 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 267000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FGH40T65SPD-F085引脚图与封装图

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