FGB40T65SPD-F085
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
针脚数 3
耗散功率 267 W
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 34 ns
额定功率Max 267 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 267000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-2
封装 TO-263-2
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FGB40T65SPD-F085 | ON Semiconductor 安森美 | 单晶体管, IGBT, N通道, 80 A, 2 V, 267 W, 650 V, TO-263AB, 3 引脚 | 搜索库存 |