FGA20S125P-SN00336

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Tube

IGBT 沟道通孔 TO-3PN

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IGBT 1250V 20A 250W TO-3PN

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FGA20S125P-SN00336

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Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube

FGA20S125P-SN00336中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 1250 V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Consumer Appliances

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FGA20S125P-SN00336引脚图与封装图

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