FFSH20120ADN-F155

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

SiC Diode - 1200V, 20A, TO-247-3, Common Cathode

二极管阵列 1 对共阴极碳化硅肖特基 1200 V 10A（DC）通孔 TO-247-3

得捷:
DIODE SIC 1200V 10A TO247

艾睿:
Diode Schottky 1.2KV 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

FFSH20120ADN-F155中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 340000 mW

正向电流Max 20 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 340000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FFSH20120ADN-F155引脚图与封装图

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