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FDD86250-F085

FDD86250-F085

数据手册.pdf
ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 0.0194 ohm, 10 V, 3 V

FDD86250_F085

Features

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Typical RDSon = 19.4 mΩ at VGS = 10V, ID = 20 A
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Typical Qgtot = 28 nC at VGS = 10V, ID = 40 A
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UIS Capability
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RoHS Compliant
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Qualified to AEC Q101

欧时:
NMOS DPAK 150V 22 MOHM


得捷:
MOSFET N-CH 150V 50A TO252


立创商城:
FDD86250-F085


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 0.0194 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Reel


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin TO-252 T/R


FDD86250-F085中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0194 Ω

耗散功率 160 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 150 V

上升时间 34 ns

输入电容Ciss 1900pF @75VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDD86250-F085引脚图与封装图
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FDD86250-F085 ON Semiconductor 安森美 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 0.0194 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存