FCP099N65S3

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.079 ohm, 10 V, 4.5 V

650V SuperFET III系列具有卓越的性能, 超结MOSFET专为高功率密度应用设计。

得捷:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

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FCP099N65S3

艾睿:
N-Channel SuperFET III MOSFET

安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin TO-220 Tube

FCP099N65S3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.079 Ω

耗散功率 227 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 24 ns

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 227 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Computing, Industrial, Telecomunication, 计算机硬件

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FCP099N65S3引脚图与封装图

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