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FGB3056-F085

FGB3056-F085

数据手册.pdf
ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

FGB3056_F085: IGBT,EcoSPARK 300mJ,560V,N 沟道点火

FGB3056_F085

Features

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SCIS Energy = 300mJ at TJ = 25oC
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Logic Level Gate Drive

得捷:
ECOSPARK IGNITION IGBT


立创商城:
IGBT,EcoSPARK 300mJ,560V,N 沟道点火


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 595V 29A 200000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


FGB3056-F085中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200000 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-2

外形尺寸

封装 TO-263-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FGB3056-F085引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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