FGH60N60UFDTU-F085
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
FGH60N60UFDTU-F085中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 298000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 76 ns
额定功率Max 298 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 298000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FGH60N60UFDTU-F085引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGH60N60UFDTU-F085 | ON Semiconductor 安森美 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247AB Tube | 搜索库存 |