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FGH25T120SMD-F155

FGH25T120SMD-F155

数据手册.pdf
ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

Using innovative field stop trench IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop trench IGBTs offer the optimum performance for hard switching application such as solar inverter, UPS, welder and PFC applications.

Features

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FS Trench Technology, Positive Temperature Coefficient
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High Speed Switching
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Low Saturation Voltage: VCEsat =1.8 V @ IC = 25 A
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100% of The Parts Tested for ILM1
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High Input Impedance
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RoHS Compliant
FGH25T120SMD-F155中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 428000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 428 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 428000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FGH25T120SMD-F155引脚图与封装图
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