FDG6303N-F169
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
FDG6303N-F169中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 25 V
输入电容Ciss 50pF @10VVds
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FDG6303N-F169引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDG6303N-F169
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDG6303N-F169 | ON Semiconductor 安森美 | Dual N-Channel Digital FET | 搜索库存 |