FDG6304P-F169

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

Dual P-Channel Digital FET

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 25V 410mA（Ta） 300mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

得捷:
INTEGRATED CIRCUIT

艾睿:
P-Channel MOSFET

FDG6304P-F169中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 25 V

输入电容Ciss 62pF @10VVds

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDG6304P-F169引脚图与封装图

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