FDB8160-F085
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
FDB8160-F085中文资料参数规格
技术参数
上升时间 18.9 ns
输入电容Ciss 11825pF @15VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 254000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-263-2
外形尺寸
封装 TO-263-2
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Vehicle Security Systems, Safety and Control, Power Train, Infotainment, Other Automotive, Other, Comfort and Convenience, Body Electronics, Portable Navigation
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FDB8160-F085引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB8160-F085 | ON Semiconductor 安森美 | 30V, 80A, 1.5mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET | 搜索库存 |