FCP190N65S3
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
针脚数 3
漏源极电阻 0.159 Ω
耗散功率 144 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 1350pF @10VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 144000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Consumer, Computing, 计算机硬件
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FCP190N65S3 | ON Semiconductor 安森美 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.159 ohm, 10 V, 4.5 V | 搜索库存 |