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FDMS1D5N03

FDMS1D5N03

数据手册.pdf

晶体管, MOSFET, N沟道, 218 A, 30 V, 900 µohm, 10 V, 1.1 V

表面贴装型 N 通道 30 V 218A(Tc) 83W(Tc) 8-PQFN(5x6)


立创商城:
FDMS1D5N03


得捷:
MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 218 A, 30 V, 900 µohm, 10 V, 1.1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R


FDMS1D5N03中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.1 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 6920pF @15VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

引脚数 8

封装 QFN

外形尺寸

封装 QFN

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FDMS1D5N03引脚图与封装图
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FDMS1D5N03 ON Semiconductor 安森美 晶体管, MOSFET, N沟道, 218 A, 30 V, 900 µohm, 10 V, 1.1 V 搜索库存