FDMS1D5N03中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 6920pF @15VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
引脚数 8
封装 QFN
外形尺寸
封装 QFN
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FDMS1D5N03引脚图与封装图
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在线购买FDMS1D5N03
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDMS1D5N03 | ON Semiconductor 安森美 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 218 A, 30 V, 900 µohm, 10 V, 1.1 V | 搜索库存 |