FDD86367
ON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
FDD86367中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 227000 mW
上升时间 49 ns
输入电容Ciss 4840pF @40VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 227000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FDD86367引脚图与封装图
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