FDMA410NZT
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
耗散功率 2.4 W
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 935pF @10VVds
下降时间 3.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2400 mW
引脚数 6
封装 UDFN
封装 UDFN
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDMA410NZT | ON Semiconductor 安森美 | FDMA410NZT: 超薄 N 沟道,1.5 V,PowerTrench? MOSFET,20V,9.5A,23mΩ | 搜索库存 |