FDMC86183

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, 屏蔽栅极, N沟道, 47 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 3.2 V

表面贴装型 N 通道 100 V 47A（Tc） 52W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33

得捷:
MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN

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FDMC86183

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晶体管, MOSFET, 屏蔽栅极, N沟道, 47 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 3.2 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 8-Pin PQFN EP T/R

安富利:
N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V 47A 12.8mOhm 8-Pin PQFN T/R

FDMC86183中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.011 Ω

耗散功率 52 W

阈值电压 3.2 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 1080pF @50VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2300 mW

封装参数

引脚数 8

封装 483AX

外形尺寸

封装 483AX

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDMC86183引脚图与封装图

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FDMC86183	ON Semiconductor 安森美	晶体管, MOSFET, 屏蔽栅极, N沟道, 47 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 3.2 V	搜索库存