FQT1N80TF-WS
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
针脚数 3
漏源极电阻 15.5 Ω
耗散功率 2.1 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 800 V
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 150pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2100 mW
引脚数 4
封装 SOT-223
封装 SOT-223
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 照明, 工业
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FQT1N80TF-WS | ON Semiconductor 安森美 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |