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FQT1N60CTF-WS

FQT1N60CTF-WS

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ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

FQT1N60CTF-WS 编带

The FQT1N60CTF_WS is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction PFC and electronic lamp ballasts.

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Low gate charge 4.8nC
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Low Crss 3.5pF
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100% avalanche tested
FQT1N60CTF-WS中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 9.3 Ω

耗散功率 2.1 W

阈值电压 4 V

输入电容 130 pF

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 130pF @25VVds

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 电源管理, 照明

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FQT1N60CTF-WS引脚图与封装图
FQT1N60CTF-WS引脚图

FQT1N60CTF-WS引脚图

FQT1N60CTF-WS封装焊盘图

FQT1N60CTF-WS封装焊盘图

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