FDMD8240LET40

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

双路场效应管, MOSFET, 电源沟槽, 双N沟道, 103 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 40V 24A 50W 表面贴装型 12-Power3.3x5

得捷:
MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5

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FDMD8240LET40

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双路场效应管, MOSFET, 电源沟槽, N沟道, 40 V, 103 A, 0.002 ohm, PQFN, 表面安装

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Trans MOSFET N-CH 40V 24A 12-Pin PQFN EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 40V 24A 12-Pin PQFN T/R

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Trans MOSFET N-CH 40V 24A 12-Pin PQFN EP T/R

FDMD8240LET40中文资料参数规格

技术参数

针脚数 12

漏源极电阻 0.002 Ω

耗散功率 50 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 3020pF @20VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50000 mW

封装参数

引脚数 12

封装 QFN

外形尺寸

封装 QFN

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FDMD8240LET40引脚图与封装图

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FDMD8240LET40	ON Semiconductor 安森美	双路场效应管, MOSFET, 电源沟槽, 双N沟道, 103 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V	搜索库存