FLM1213-6F
数据手册.pdf
Sumitomo
住友
电子元器件分类
FLM1213-6F中文资料参数规格
技术参数
频率 12.7GHz ~ 13.2GHz
封装参数
封装 CASE IA
外形尺寸
封装 CASE IA
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
香港进出口证 NLR
FLM1213-6F引脚图与封装图
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在线购买FLM1213-6F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FLM1213-6F | Sumitomo 住友 | High Power GaAs FETs, Ku-Band, 7dB, 12.7 13.2GHz, 1650mA | 搜索库存 |
替代型号FLM1213-6F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FLM1213-6F 品牌： Sumitomo 住友 封装： | 当前型号 | High Power GaAs FETs, Ku-Band, 7dB, 12.7 13.2GHz, 1650mA | 当前型号 |
| 型号： FLM1213-8F 品牌： 住友 封装： | 完全替代 | High Power GaAs FETs, Ku-Band, 6.5dB, 12.7 13.2GHz, 2200mA | FLM1213-6F和FLM1213-8F的区别 |
| 型号： FLM1213-4F 品牌： 住友 封装： | 完全替代 | RF Power Field-Effect Transistor, 1Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IA, 2Pin | FLM1213-6F和FLM1213-4F的区别 |
| 型号： FLM1213-4C 品牌： 富士通 封装： | 功能相似 | RF Power Field-Effect Transistor, 1Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2 | FLM1213-6F和FLM1213-4C的区别 |