FS75R12KT3GBOSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
耗散功率 355 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 5.3nF @25V
额定功率Max 355 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 355000 mW
引脚数 35
封装 AG-ECONO3-4
封装 AG-ECONO3-4
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Drives, Air Conditioning System, Induction Heating
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FS75R12KT3GBOSA1电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FS75R12KT3GBOSA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module | 搜索库存 |