FQA11N90C中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 900 V
上升时间 130 ns
输入电容Ciss 3290pF @25VVds
下降时间 85 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
FQA11N90C引脚图与封装图
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在线购买FQA11N90C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQA11N90C | ON Semiconductor 安森美 | Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3Pin3+Tab TO-3PN | 搜索库存 |
替代型号FQA11N90C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQA11N90C 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3P-3|SC-65-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3Pin3+Tab TO-3PN | 当前型号 |
| 型号： FQA11N90C_F109 品牌： 安森美 封装： TO-3PN | 功能相似 | QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FQA11N90C和FQA11N90C_F109的区别 |