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FS75R07N2E4B11BOSA1

FS75R07N2E4B11BOSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Module N-CH 650V 75A 250000mW 25Pin AG-ECONO2-6 Tray

Summary of Features:

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Increased blocking voltage capability to 650V
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High Short Circuit Capability
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Self Limiting Short Circuit Current
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Trench IGBT 4
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Tvj op = 150°C
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Integrated NTC temperature sensor
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Copper Base Plate
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Standard Housing

Benefits:

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Compact module concept
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Optimized development cycle time and cost
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Configuration flexibility
FS75R07N2E4B11BOSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

输入电容Cies 4.6nF @25V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

引脚数 25

封装 AG-ECONO2-6

外形尺寸

封装 AG-ECONO2-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Drives, Induction Heating, Air Conditioning System

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FS75R07N2E4B11BOSA1引脚图与封装图
FS75R07N2E4B11BOSA1电路图

FS75R07N2E4B11BOSA1电路图

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