FQD10N20CTM_F080
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 360 mΩ
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
上升时间 92 ns
输入电容Ciss 510pF @25VVds
下降时间 72 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FQD10N20CTM_F080 | Fairchild 飞兆/仙童 | MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 7.8A 3Pin 2+Tab | 搜索库存 |