FQB6N60TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB6N60TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 6.20 A
漏源极电阻 1.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13W Ta, 130W Tc
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.20 A
输入电容Ciss 1000pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
耗散功率Max 3.13W Ta, 130W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB6N60TM引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQB6N60TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB6N60TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 600V 6.2A 1.5ohms | 当前型号 | N沟道 600V 6.2A | 当前型号 |
| 型号： STB9NK60ZT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-263 N-Channel 600V 7A 950mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB9NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V | FQB6N60TM和STB9NK60ZT4的区别 |
| 型号： STB6NK60ZT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-263 N-Channel 600V 6A 1.2ohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB6NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V | FQB6N60TM和STB6NK60ZT4的区别 |
| 型号： STB4NK60ZT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-263 N-Channel 600V 2A 2Ω | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB4NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 1.76 ohm, 10 V, 3.75 V | FQB6N60TM和STB4NK60ZT4的区别 |