FQA13N80
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA13N80中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 12.6 A
漏源极电阻 750 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 12.6 A
输入电容Ciss 3500pF @25VVds
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQA13N80引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQA13N80
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQA13N80 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3PN N-Channel 800V 12.6A 750mohms | 当前型号 | 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQA13N80_F109 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3PN N-Channel 800V 12.6A | 类似代替 | QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 | FQA13N80和FQA13N80_F109的区别 |
| 型号： SPP11N80C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220AB N-Channel 800V 11A | 功能相似 | INFINEON SPP11N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V | FQA13N80和SPP11N80C3的区别 |
| 型号： SPA04N80C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 800V 4A | 功能相似 | INFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V | FQA13N80和SPA04N80C3的区别 |