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ON(安森美) FDG311N

ON(安森美) FDG311N
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制造商型号:

FDG311N

制造商:

ON (安森美)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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FDG311N 中文资料

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FDG311N 规格参数

属性
参数值

制造商型号

FDG311N

制造商

ON(安森美)

商品描述

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

包装

Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列

PowerTrench®

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

1.9A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

115mOhm @ 1.9A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

4.5nC @ 4.5V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

270pF @ 10V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

750mW (Ta)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

SC-88 (SC-70-6)

封装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

库存: 5497

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
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