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FDY2001PZ
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDY2001PZ中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 8 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 630 mW

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 150 mA

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 100pF @10VVds

额定功率Max 446 mW

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-89-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDY2001PZ引脚图与封装图
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在线购买FDY2001PZ
型号 制造商 描述 购买
FDY2001PZ Fairchild 飞兆/仙童 指定的双P沟道( -2.5V )的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel -2.5V Specified PowerTrench MOSFET 搜索库存
替代型号FDY2001PZ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDY2001PZ

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-563 P-Channel 20V 150mA 8ohms

当前型号

指定的双P沟道( -2.5V )的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel -2.5V Specified PowerTrench MOSFET

当前型号

型号: FDY2000PZ

品牌: 飞兆/仙童

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