通道数 2
漏源极电阻 8 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 630 mW
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 150 mA
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 100pF @10VVds
额定功率Max 446 mW
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SC-89-6
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.6 mm
封装 SC-89-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDY2001PZ | Fairchild 飞兆/仙童 | 指定的双P沟道( -2.5V )的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel -2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDY2001PZ 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-563 P-Channel 20V 150mA 8ohms | 当前型号 | 指定的双P沟道( -2.5V )的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel -2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 当前型号 | |
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型号: NTUD3129PT5G 品牌: 安森美 封装: SOT-963 P-CH 20V 0.14A | 功能相似 | 20V,-0.18A功率MOSFET | FDY2001PZ和NTUD3129PT5G的区别 |