FDS3601
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS3601中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 1.30 A
漏源极电阻 480 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 153 pF
栅电荷 3.70 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 1.30 A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 153pF @50VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS3601引脚图与封装图
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在线购买FDS3601
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS3601 | Fairchild 飞兆/仙童 | 100V双N沟道PowerTrench MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS3601
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS3601 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 100V 1.3A 480mohms 153pF | 当前型号 | 100V双N沟道PowerTrench MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS3601_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | FDS3601和FDS3601_NL的区别 |