FJL6820TU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJL6820TU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 750 V
额定电流 20.0 A
极性 NPN
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 750 V
集电极最大允许电流 20A
最小电流放大倍数hFE 6
最大电流放大倍数hFE 10
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 20 mm
宽度 5 mm
高度 26 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FJL6820TU引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FJL6820TU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJL6820TU | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar | 搜索库存 |
替代型号FJL6820TU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJL6820TU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-264 NPN 750V 20A | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar | 当前型号 |
| 型号： FJL6820 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 类似代替 | NPN型三重扩散平面硅晶体管 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor | FJL6820TU和FJL6820的区别 |