FJN4310RBU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJN4310RBU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJN4310RBU引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FJN4310RBU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJN4310RBU | Fairchild 飞兆/仙童 | 1个PNP-预偏置 100mA 40V | 搜索库存 |
替代型号FJN4310RBU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJN4310RBU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -40V -100mA 300mW | 当前型号 | 1个PNP-预偏置 100mA 40V | 当前型号 |
| 型号： FJN4310RTA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -40V -100mA 300mW | 完全替代 | 双极晶体管 - 预偏置 PNP Si Transistor Epitaxial | FJN4310RBU和FJN4310RTA的区别 |