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FJV4111RMTF

FJV4111RMTF

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R=22KΩ)•到FJV3111R补

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -40V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 22KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 100~600 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features • Switching Application Bias Resistor Built In • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor R=22KΩ • Complement to FJV3111R 描述与应用| 特点 •开关应用(偏置电阻内置) •开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路 •内置偏置电阻(R=22KΩ) •到FJV3111R补

FJV4111RMTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FJV4111RMTF引脚图与封装图
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在线购买FJV4111RMTF
型号 制造商 描述 购买
FJV4111RMTF Fairchild 飞兆/仙童 特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R=22KΩ)•到FJV3111R补 搜索库存
替代型号FJV4111RMTF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FJV4111RMTF

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 PNP -40V -100mA 200mW

当前型号

特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R=22KΩ)•到FJV3111R补

当前型号

型号: FJV4112RMTF

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 PNP -40V -100mA 200mW

完全替代

特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R=47KΩ)•到FJV3112R补

FJV4111RMTF和FJV4112RMTF的区别

型号: FJV4109R

品牌: 飞兆/仙童

封装:

功能相似

PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

FJV4111RMTF和FJV4109R的区别

型号: FJV4110R

品牌: 飞兆/仙童

封装:

功能相似

NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

FJV4111RMTF和FJV4110R的区别