制造商型号: | FDB024N06 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FDB024N06
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FDB024N06 中文资料
数据手册PDF
FDB024N06 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 265 A
漏源电阻 2.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 174 nC
耗散功率 395 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 250 ns
上升时间 324 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 348 ns
典型接通延迟时间 134 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
品牌其他型号
FDB024N06品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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