漏源极电阻 0.46 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30.5 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 6.8A
输入电容Ciss 960pF @100VVds
额定功率Max 30.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30.5W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FCPF7N60NT | Fairchild 飞兆/仙童 | SupreMOS® MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和总栅极电荷让品质因素 FOM 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列为相同的 RDS(接通)提供低栅极电荷,提供极佳的切换性能,切换和传导损耗降低 20%,从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FCPF7N60NT 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220F N-Channel 600V 6.8A | 当前型号 | SupreMOS® MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和总栅极电荷让品质因素 FOM 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列为相同的 RDS(接通)提供低栅极电荷,提供极佳的切换性能,切换和传导损耗降低 20%,从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 | |
型号: FCPF7N60YDTU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-220-3 N-CH 600V 7A | 类似代替 | SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FCPF7N60NT和FCPF7N60YDTU的区别 |