FQP27N25
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP27N25中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 25.5 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.11 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 180 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 25.5 A
上升时间 270 ns
输入电容Ciss 2450pF @25VVds
额定功率Max 180 W
下降时间 120 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP27N25引脚图与封装图
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在线购买FQP27N25
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQP27N25 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP27N25.. 场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 25.5A, TO-220 | 搜索库存 |
替代型号FQP27N25
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP27N25 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 250V 25.5A 110mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP27N25.. 场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 25.5A, TO-220 | 当前型号 |
| 型号： STP50NF25 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 250V 22A | 功能相似 | N 通道 STripFET™，STMicroelectronics | FQP27N25和STP50NF25的区别 |