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FDZ3N513ZT

FDZ3N513ZT

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

集成NMOS和肖特基二极管 Integrated NMOS and Schottky Diode

P-Channel 30 V 1.1A 1W Ta Surface Mount 4-WLCSP 1x1


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P沟道 30V 1.1A


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MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP


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MOSFET 30V Integrated NMOS and Shottky Diode


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Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 4-Pin WLCSP T/R


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MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP / P-Channel 30 V 1.1A 1W Ta Surface Mount 4-WLCSP 1x1


FDZ3N513ZT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.384 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 700 mV

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 1.1A

输入电容Ciss 85pF @15VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 WLCSP-4

外形尺寸

封装 WLCSP-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDZ3N513ZT引脚图与封装图
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FDZ3N513ZT Fairchild 飞兆/仙童 集成NMOS和肖特基二极管 Integrated NMOS and Schottky Diode 搜索库存
替代型号FDZ3N513ZT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDZ3N513ZT

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: WLCSP-4 N-Channel 30V 1.1A

当前型号

集成NMOS和肖特基二极管 Integrated NMOS and Schottky Diode

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